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1062(最新)
>1038:
いやいや、勧誘紛いの怪しい宣伝相変わらず続けてるね。
恥ずかしくないのか?。
所詮、貴方も250w~300w云々言ってるが、これも既知の情報です。
調べればどこでも掲載されてる。
詳細な情報はネットやお仲間や結局、企業論文・大学研究論文等など、何処かからの引用だろう。?w
細かく調査してる事は認める。
がしかし、さも自身で研究し作り上げた情報の様に書き込んでるようにも感じる。
ここで語られる2nm線幅限界に関しては、結局のところ以前から語られてたのは既知の内容で限界点は判っていた。
その先はまだ未知の世界で究極は、電子一個分の線幅だと当方は考えている。
そんなものが実現できるか否か?。
そんなこと現段階では判らない。
実現できなきゃ、並列化や積層化で補うしかないのです。
当たり前のこと。
低電圧で駆動し低消費電力化や抵抗によるその発熱ロスを如何に下げるか。
高クロック化によるノイズ低減や低電圧による外来ノイズ対策、線幅微細化による寄生容量対策をどう実現するか。
何処の企業もそれに腐心している。
ただ現状言えることは、レーザーテックはASMLやTSMCが作ったフォトマスクの欠陥を検出できるか否かで、市場を制覇してる事実なのです。
オタクがいくら数字で書き込んでも電気電子・トランジスタの素人には、理解できないでしょう。
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当方が言ってるのは、営利目的を主体としてないのなら、個人の信用を勝ち取ろうとするような文言で、投資クラブへ興味を引く様な宣伝を書き込み、最後は入会させませんというくだりの書き込みをするなという事です。
人間心理を利用し、「 」まで付けてご丁寧に強調し、検索クリック詐欺紛いのような書き込みは控えて頂きたいね。
被害者が出ない事を願うばかりです。
結局のところ、オタクも2nmその先は判らないんだろ。
当然だ。
どこもまだ研究段階なんだから。www
株式で利益出したいのは、皆同じ。
貴方の役目は投資クラブ謳うのであれば、どの銘柄でもエントリーとイグジットのタイミングなのです。
ヒミツの投資クラブを謳って興味(信者の)を気を惹きたいのか?。w
興味が無いと言いながら、遡って確認までしたんじゃないのか。?
オタク自身が過去当方の書き込みを調べて「少なくとも‥‥」と表現してじゃないか?。
矛盾してるね。 -
レーザーテックは中傷する奴居ないから良いよな!
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金持ち喧嘩せず❣️
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余談ですが、ASMLが競合に追いつかれない要素がありまして、ASMLは一台のスキャナーに勿論投影光学系は一台ですが、ウエハーステージは二台付いていて、順番にウエハーをセット、位置測定、露光、ウエハー排出を交互に繰り返すので、スループットが高いです。露光機はスループットが競争力なんです。
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1058
来年はキャッシュレス銘柄だよ。
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返信ありがとうございました。
>いずれにせよ、1つの目安としてシリコンの格子定数も0.54nmですので、デバイス、配線的にも、2nmくらいで打ち止めだと思います。
不純物濃度コントロールも無理が出そうです。 -
え? 今から1億倍になるの?
5兆円も夢でないな! -
k1を下げるには、超解像技術を使うのでしょうが、暗いEUV光源では、照明系の瞳を制限するのも難しく、斜め光線なので収差も出易く、反射マスクなので位相シフトも難しいので、非常に難易度が高いのではないでしょうか?
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いずれにせよ、1つの目安としてシリコンの格子定数も0.54nmですので、デバイス、配線的にも、2nmくらいで打ち止めだと思います。
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すみません、NAは開口数、numerical aperture でした。
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そうですね。それで何百万枚の量産技術として2nmが限界と私は思っているのですが。
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>>1049:
◎開口率に関して:
現状EUVのNAは0.33です。
光学系NAを0.33→0.55にすれば次世代EUVNA露光装置ができます。
また、Reyleigh式のK1ファクターを小さくして更なる次々世代EUV露光装置開発をも計画しています。
◎スループットに関して:
EUV光源出力の改善を図っています。
ASMLの当初の光源出力は250Wでしたが、既に、TSMCでは、280W開発に続き、300Wを2019年中に、350Wクラスを2020年に開発する計画になっています。〇〇〇企業と協同開発で。 -
私が大学で光学を習った先生は、非常に有名な人ですが、講義で光学は幾何光学、物理光学、反射、干渉、回折、散乱など非常に多様な別々の面を持っているので、ある意味量子力学より分かりにくい。それをよく理解するには身近な現象と結び付けて考えるように、とおっしゃいました。
私は半導体プロセスに進んだので、光学現象は常に身近で、光学と言う学問をよく理解するのには機会に恵まれました。 -
開口率NA=n•sin thetaであり、EUVでは屈折率nは1.0、光学系の開口角シータは9幾何学的には90°ですが、反射光学系では8枚反射非球面鏡がお互い光線を邪魔しあって、 thetaをあげるのは難しいです。10枚構成にすれば少し上がりますが、反射鏡の反射率が落ちてウエハー面光強度が落ちて、光源の明るさを上げざるを得ず、電力消費、熱発生から難しいです。いずれにしても、それが可能になってもそこで終わりです。
露光装置の一番の問題は、ウエハーのスループットが高い事、経済的にそこは譲れませんので、新しい露光方式は絶望的に難しいです。現在のEUVにたどり着くのに、学会、企業、研究所が寄ってたかって無理かもしれないと思いながら30年以上かかり、やっと量産に載せたのが現実です。 -
>>1040:
確かに現状の短波長化は困難でしょうね。現状の技術の延長線上では。
しかし、半導体露光技術における解像度(ハーフピッチ)は露光波長に比例するが、光学系の開口率に反比例しますね。
従って、現状のEUV露光の限界は3nmと言われており、次々世代ロジック(2024年:2nm)の時の次世代EUV露光開口率を対現状比1.66倍にするのです。そうすれば、露光波長を変えなくても2nmロジック製品ができます。
ASMLは投影光学系に関しては、Carl Zeiss SMTと開発パートナーを組んで現在、次世代EUV露光機開発・試作に専念しています。2024年出荷目指して。現在、ASMLは既に3社から4台受注済みです。次世代改善型EUV露光装置を。半導体技術にボトルネックが存在しても、過去同様、人間技術者の知恵はそれを乗り越えていきますからね。こんなに、微細化技術が進展するとは過去に予想できた人はいなかったでしょうね。 -
私も新しい技術はよくわかりませんが、インテルが開発して微細化トランジスタの主流となったFINFETはスピードが5nmで限界に達して、サムソンは3nmからは立体構造にするとネットに出ていました。TSMCは?
半導体の新技術は、シリコン以外のチャンネルを使うと、何百万枚と言う量産性、数億コのトランジスタを集積した時の歩留まり、熱的安定性、何十年と言う信頼性が満たすか検証が必要ですので、新しい材料においそれと移行するのは難しいです。
IEDMとかVLSI シンポジウムとかに出席して議論に加わる様な現役の研究者に聞かないと、その辺はよくわかりませんが。 -
下手にあちこち買うより、ここと東洋合成握ってた方がいい結果出そうな気がしてきたな~ う~む
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1045
nch 強く買いたい 2019年12月29日 21:48
分割して更に上がりましたね↑↑
PTSでも現在上げています❗️
大納会もかなり期待できますね😊
テーマ、業績も良いし言うことなし❗️
半導体は好調ですし、レーザーテックはシェア100%の商品があり強すぎる❗️❗️
2月の決算も数字良さそうですし、上がる要素しか見当たりません↑↑
大発会はお祝儀、期待相場で更に跳ね上がる可能性もあります❗️
買うから今のうちかもしれません😊
すぐに分割する前の10,000円近く上がってもおかしくないぐらい超オススメの好銘柄です🌈
持ってて楽しみでしかありませんね♪ -
他の業界と違い半導体製造装置は研究開発費が膨大で、ノウハウも多く、半導体メーカーとの共同開発の部分も多く、常に技術が進化しているので永遠に勝ち続けて売り上げで開発投資を回し続けないと脱落する厳しい世界ですので、後発が簡単に入れるものではありません。
ですから、中国、韓国が補助金を貰っても主要なプレーヤーになれない現状があります。 -
1043
mas***** 強く買いたい 2019年12月29日 21:40
おっしゃる通りです‼️売りたい強き、買いたい弱気、いずれも無視して進んで行きましょう‼️頑張れ❗レーザーテック‼️キッス♥️
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