投稿一覧に戻る
レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29
-
>>1042
私も新しい技術はよくわかりませんが、インテルが開発して微細化トランジスタの主流となったFINFETはスピードが5nmで限界に達して、サムソンは3nmからは立体構造にするとネットに出ていました。TSMCは?
半導体の新技術は、シリコン以外のチャンネルを使うと、何百万枚と言う量産性、数億コのトランジスタを集積した時の歩留まり、熱的安定性、何十年と言う信頼性が満たすか検証が必要ですので、新しい材料においそれと移行するのは難しいです。
IEDMとかVLSI シンポジウムとかに出席して議論に加わる様な現役の研究者に聞かないと、その辺はよくわかりませんが。
ribot_horse 2019年12月29日 21:39
>>1040
非常に興味深いです。
一方でデバイス自体の微細化の限界にも関心があるのですが、今の○nmルールと呼ばれている数字は、配線幅でも間隔でもチャネル長でさえないとの話、そんな中で額面上の○nmルールと言う数字のシュリンクではなく実際のトランジスタと配線等の微細化がまだ可能なのかどうか。
個人的には、電界強度の限界・RC積上昇による実用面での限界にほぼ達したのではと思っていますが。