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レーザーテック(株)【6920】の掲示板 2019/12/23〜2019/12/29
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>>1051
そうですね。それで何百万枚の量産技術として2nmが限界と私は思っているのですが。
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>>1051
k1を下げるには、超解像技術を使うのでしょうが、暗いEUV光源では、照明系の瞳を制限するのも難しく、斜め光線なので収差も出易く、反射マスクなので位相シフトも難しいので、非常に難易度が高いのではないでしょうか?
MOK***** 2019年12月29日 22:34
>>1049:
◎開口率に関して:
現状EUVのNAは0.33です。
光学系NAを0.33→0.55にすれば次世代EUVNA露光装置ができます。
また、Reyleigh式のK1ファクターを小さくして更なる次々世代EUV露光装置開発をも計画しています。
◎スループットに関して:
EUV光源出力の改善を図っています。
ASMLの当初の光源出力は250Wでしたが、既に、TSMCでは、280W開発に続き、300Wを2019年中に、350Wクラスを2020年に開発する計画になっています。〇〇〇企業と協同開発で。