キヤノン(株)【7751】の掲示板 2024/02/17〜2024/03/04

SKハイニックスは今年、日本のキヤノンからナノインプリント露光装置を導入し、テストを進めている。2025年ごろに同装置を使い、3D（3次元）NAND型フラッシュメモリーの量産を開始することを目標に研究開発を進めており、これまでのテスト結果が順調であるため、量産用設備も追加発注される見通しだ。

　半導体業界によると、SKハイニックスは今年、キヤノンからナノインプリント露光装置のテスト装備を購入し、3D NAND型フラッシュメモリーの生産工程に適用するためのテストを進めている。業界で最先端製造プロセスに使用されている極端紫外線（EUV）露光装置の次世代設備とされ、これまでは研究開発レベルでの採用にとどまっていた。

SKハイニックスに詳しい関係者は「既存のArF液浸露光装置では数回パターニングを行わなければならないため、工程の数が増え、生産コストが増大する」とした上で、「通常4回のマルチパターニングが必要な既存工程に比べ、ナノインプリント露光装置がコスト面ではるかに優れていることはある程度確認された」と説明した。

ナノインプリント露光装置が商用化されれば、SKハイニックスをはじめとするNAND型フラッシュメモリー業者は、200層台からますます工程の難度が高まっている3D NAND型フラッシュメモリーの分野で生産性を高めることができるとみられる。3D NAND型フラッシュメモリーでは積層数を増やすためにあらゆる化学薬品処理で表面を低くすることがカギだが、200層を超えるとその部分がますます難しくなっている