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今月から富士フイルムがキャノンに納入するナノインプリント向けのレジストは、ナノインプリントの最大の弱点といわれる離型時の回路パターンの欠損と、離型時間の長さからくるスループット（生産性）の悪さを同時に解決するまさに画期的な材料です。ナノインプリントはASMLのEUV露光装置と比べて一桁安くしかも光学系の関連装置も必要がなく、消費電力も10分の1程度ということもあってキャノン、富士フイルム連合でASMLを追撃、凌駕していくのではないでしょうか。

昨年5月のニュース

SKハイニックスは今年、日本のキヤノンからナノインプリント露光装置を導入し、テストを進めている。2025年ごろに同装置を使い、3D（3次元）NAND型フラッシュメモリーの量産を開始することを目標に研究開発を進めており、これまでのテスト結果が順調であるため、量産用設備も追加発注される見通しだ。

今日のニュース

韓国のＳＫハイニックスは、人工知能（ＡＩ）開発に不可欠な半導体の需要急増に乗じようと、７－９月（第３四半期）に次世代半導体メモリーの量産開始を目指している。
　ＳＫハイニックスは発表文で、高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）の2025年の生産能力は受注でほぼ埋まったことを明らかにした。ＡＩサービスの世界的ブームを浮き彫りにした。
　同社は先月、約146億ドル（約２兆3000億円）を投じて韓国内に新たな半導体メモリー製造拠点を建設する計画を発表。ＡＩプラットフォーム作成などでエヌビディア製アクセラレーターと連携する半導体の需要急増に対応する準備を進めている。

いよいよ始まりますよ。

以下に全文を載せますがナノインプリントの最大の課題であったスループットの問題が解決されたことによりASLMのEUV露光装置を完全に捕らえました。

富士フイルム株式会社（本社：東京都港区、代表取締役社長・CEO：後藤 禎一）は、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料として、ナノインプリントレジストを5月下旬より、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社（本社：神奈川県横浜市、代表取締役社長：小林 茂樹）を通じて販売します。

5G/6Gによる通信の高速・大容量化、自動運転の拡大、AIやメタバースの普及などを背景に、半導体の需要拡大と高性能化が見込まれています。昨年、高性能な先端半導体を低コスト・省電力で製造できる新しい製造技術として「ナノインプリントリソグラフィ」が実用化。「ナノインプリントリソグラフィ」は、半導体製造に用いるウエハー上のレジストに、回路パターンが刻み込まれたマスク（型）をハンコのように押し当てて回路パターンを転写・形成する技術で、半導体製造で広く使用されているフォトリソグラフィと異なって現像工程やリンス工程がなく、露光に用いる複雑な光学系も不要です。特に、高額な露光装置の導入など、投資がかさむ先端半導体分野では、フォトリソグラフィと比べてより低コスト、省電力で高性能な半導体を製造できるメリットを大きく享受できることから、「ナノインプリントリソグラフィ」の普及・拡大に期待が高まっています。

今回発売するナノインプリントレジストは、当社がフォトレジストなどの開発で培った知見と技術を活用して、製造工程におけるレジストの流動挙動や、レジストとウエハー表面・マスクそれぞれとの相互作用を詳細に解析し、「ナノインプリントリソグラフィ」に最適な分子構造を持つレジストを新規に設計したものです。当社のナノインプリントレジストは、マスクに刻み込まれた複雑な回路パターンに均一に素早く充填でき、ナノメートルレベルの回路パターンを忠実に短時間で転写・形成。さらに、UV照射により硬化させた後、マスクを高速で剥がしてもレジストに転写された回路パターンに欠損を生じさせない優れた離型性を発揮します。これにより、「ナノインプリントリソグラフィ」の実用化に向けた課題であった、スループット（時間当たりのパターニング処理能力）向上と低欠陥による歩留まり改善を可能にし、先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献します。
また、当社が産業用インクジェットプリンターの開発で培った技術を生かして、ウエハー表面に無駄なく最適な液滴量をインクジェット方式で塗布できる処方設計を実現。現在の製造プロセスで用いられるスピンコート法※1と比較して、レジストの使用量を約1/100に削減※2できます。今回発売するナノインプリントレジストは、環境や生態系への影響懸念から使用規制の動きが進む有機フッ素化合物群「PFAS」を含んでいません。
今後、当社はナノインプリントレジストの販売をとおして、最先端半導体製造時のコスト低減と省電力化に貢献する新しい半導体製造技術の普及・拡大を推進していきます。

当社は、フォトレジストやプロセスケミカル、ポリイミドなど半導体製造の前工程から後工程までのプロセス材料や、イメージセンサー用カラーフィルター材料をはじめとしたWave Control Mosaic（WCM）を展開し、最先端から非先端まで「ワンストップソリューションを提供する半導体材料メーカー」として、半導体顧客ニーズへの対応、課題解決に取り組んでいます。今回最先端の微細化に対応したナノインプリントレジストをラインアップに加え、これらの幅広い製品の提供と新しい製造技術に適合した製品開発により、半導体産業のさらなる発展に貢献していきます。

※1 レジストをウエハー上に滴下し、ウエハー高速回転させることでレジスト薄膜を作製する方法。
※2 当社による試算。
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報道関係
富士フイルムホールディングス株式会社
コーポレートコミュニケーション部 広報グループ

日証協発表の銘柄別株券等貸借週末残高によりますと貸付残高はここ一ヶ月で７０００万株から約３０００万株減少しています。来週水曜日の第一四半期決算の発表を受けて残りの４０００万株が動き始めますよ。楽しみにしています。

いよいよ来週の水曜日、第一四半期の決算が発表されます。楽しみにしていてください。

1兆円を超える売上高がありEPS200円、配当利回り3.6%の会社で株式テーマのど真ん中にあるエネルギー関連株が2000円そこそこってあり得ないでしょう。5000円は超えてきますよ。

医療用のips細胞を患者本人の血液から自動的に作製する技術を、京都大ips細胞研究財団とキヤノンが共同開発しました。ips細胞の作製費用が一人当たり4000万円から100万円程度まで減らせることでキヤノンの医療分野にとっては最先端のMRI.CTに並ぶ大きな柱になることが予想されます。
半導体分野のナノインプリントに次ぐ今回の発表で株価も予想を遥かに超える所まで駆け上がって行きますよ。

大日本印刷株式会社は、2nm世代ロジック半導体のEUV(極端紫外線)リソグラフィ(露光)向けフォトマスク製造プロセスの開発を本格的に開始したと発表した。
　同社では、2023年に3nm世代のEUVリソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスの開発を完了し、2nm世代の開発をすでに開始している。さらなる微細化のニーズに応えるため、2024年度中には2台目と3台目のマルチ電子ビームマスク描画装置を稼働させるなど、開発を本格化するという。
　今後は、2025年までに2nm世代向けの開発を完了し、2027年度の量産開始に向けた生産技術の確立を進める。さらに、2nm世代以降を見据え、次世代EUV向けフォトマスクの共同開発に関する契約をimecと締結した。

今年中に５桁間違いないね。

それから明日の配当落ち額は約262円です。つまり今日の日経平均から262円下がって実質イーブンということです。

さあ明日は株主総会です。楽しみにしましょうね。

いよいよ明後日、注目の株主総会です。個人的には大変楽しみにしています。

来週２８日の株主総会に向けて楽しみな展開になってきました。ASMLに替わる微細半導体製造のゲームチェンジャーになりうるナノインプリント、次世代の光学システムの強力な選択肢で光学のゲームチェンジャーになりうるメタレンズ製造に欠かせないナノインプリントと話題には事欠きません。株価も４６０３円を超えてくると跳ねますよ。

従来型の微細加工では、微細化が進むほど消費電力が増加する傾向にあり、ASMLのEUVを用いた最小線幅5nmのウェハ1枚の製造に一般的な家庭の約4ヵ月分の電力を消費するとも言われています。
半導体製造では想像を遥かに超える量の電力を使用します。
台湾のＴＳＭＣ工場の電力使用量は、２０２２年時点で台湾の総電力需要の６％を占め、２０２８年には１３％にまで増加し、４５０億kWh もの電力消費量になると予測されている。これは台中の原子力発電所３基、火力発電所１０基に相当すると言われています。
それに比べてナノインプリント法は最小線幅を微細化するポテンシャルに加えて、消費エネルギーをEUV使用時の実に約1/10まで下げる効果も期待されています。
世界の名だたる半導体メーカーがナノインプリントに強烈な興味を示している理由がわかると思います。

今月28日の株主総会にはナノインプリントに関する何らかの発表があると思われますがサプライズな内容であればと願っています。

空売りの大口機関投資家は以下の通りです。
JPモルガン　７５６７１８６株　JP MORGAN SECURITIES　５１３７９７６株
三菱ＵＦＪモルガンスタンレー　５１８２４８５株　
Barclays Bank １４８２７２２３株。
Barclays Bankが突出して多いですがこの４社で実に３３００万株弱の空売りがあります。５０００円を超えてくると一気に動いてくると思います。

EUVマスクで独占するレザーテックは２０２０年３月の安値３９０５円から３ヶ月ごの６月に１０９５０円を付け、その後２０２２年１月に３６０９０円まで駆け上がったことは周知の通りですがキヤノンもナノインプリントの普及次第ではそのような可能性があり得ます。ナノインプリントにはそれだけのインパクトがあります

EUV露光装置を開発したASLMはいまや時価総額５５兆円です。EUVよりも遥かに安価な設備費用、製造コストを実現するナノインプリントを開発したキヤノンの時価総額が５兆９０００億円弱です。

更に付け加えれば現時点では2nmプロセスの開発に使われているのはEUV露光装置ですが、将来的にはナノインプリント装置も利用される可能性があります。そうなれば露光装置部門はキャノンの独占になる可能性さえあります。

キヤノンが開発したナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、半導体業界において画期的な変革をもたらしています。この技術は、半導体デバイスの製造プロセスを根本から変え、より高性能でコスト効率の高い製品の生産を可能にしています。キヤノンのNIL技術は、半導体デバイスの小型化と高性能化を推進し、業界全体の技術進歩に大きく貢献しています。

キヤノンのこの技術革新は、半導体業界だけでなく、関連する多くの産業にも影響を及ぼしています。高性能な半導体デバイスの需要は、スマートフォン、コンピュータ、自動車、ヘルスケアなど、幅広い分野に及びます。キヤノンの技術革新は、これらの分野における製品開発の加速と、新たなビジネスチャンスの創出に寄与しています。キヤノンのナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、半導体デバイスの製造に留まらず、その応用範囲はさらに広がっています。この技術は、微細な構造を必要とする他の分野にも革新をもたらす可能性を秘めています。例えば、光学素子やバイオセンサーなど、微細な構造が求められる製品の製造にNIL技術が応用されることが期待されます。

特に注目されるのは、XR（拡張現実）技術向けのメタレンズの製造です。メタレンズは、数十ナノメートルの微細構造で光を制御し、レンズ機能を持たせることができる素子です。NIL技術により、これらの高精度な光学素子の製造が可能になり、XR技術の発展に大きく貢献することが期待されます。

キヤノンのNIL技術は、半導体業界における新たな標準を築くとともに、技術革新の波をさらに広げ、市場全体の発展に大きく貢献することが期待されます。これにより、キヤノンは半導体製造装置市場におけるリーダーとしての地位を確固たるものにしていくでしょう。

露光装置部門で独占状態のASLMがキャノンにとって代わる可能性が大です。今月２８日の株主総会に向けていよいよ動き始めますよ。

ここは取り組み妙味で買っているわけでは全くありませんが今度４５００円を超えてくると........、。