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(株)イーディーピー【7794】の掲示板 2024/01/11〜2024/01/29

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2024年1月29日

ダイヤモンドCMOS集積回路実現へ
物質・材料研究機構(NIMS)は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」(NIMS)とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを実現した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能となる。
[馬本隆綱,EE Times Japan]