フォームファクター【FORM】の掲示板

HBMの現行バージョンであるHBM3は、2つの重要な技術により、垂直方向に積層された集積回路(ダイとも呼ばれる)の数を増やし、メモリ容量とパフォーマンス能力を高めます。1つはマイクロバンプ技術で、ダイの上に形成される小さなはんだバンプです。もう1つはSi貫通電極(TSV)で、ウエハの前面からエッチングされた孔が銅で充填されています。

メモリダイ同士は、TSVを介して接続されます。その後、マイクロバンプに接続され、メモリダイを積層パッケージに組み入れて、デバイス間で小型かつ高速な電気的接続を実現しています。

https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240510-2942589/