(株)タムラ製作所【6768】の掲示板 2021/11/19〜2021/11/30

>>169

あなたには、僕が意見しなければと思ったので、少しコメントします。
ＳｉＣは硬いので、溝を掘るのが大変だということは、あるにはあります。しかし、ウェーハの厚さを均一にするのもむずかしい。そのため、ウェーハのサイズを大きくするのもむずかしい。１０年後の予想はできませんが、５～６年後のＳｉＣウェーハのサイズは、２００ｍｍが限度でしょう。よほどのことがない限り、３００ｍｍは無理です。しかし酸化ガリウムであれば、３００ｍｍウェーハーはおそらく可能です。

しかし、大きな問題がその先にある。あなたは、なぜ、自動車メーカーのトヨタが、酸化ガリウム半導体の開発に深くのめりこんだのか、考えたことがありますか？
僕は、ＳｉＣ半導体では、トヨタが必要とするパワーデバイスをつくれないためではないか、と考えます。僕なりに思案したのですが、ＳｉＣ半導体では、トヨタが望むレベルの、低電圧でバッテリー充電して高電圧でモーターを回すシステム、あるいは低周波数で入力して高周波数で出力するシステムがつくれないからではないか、と思いました。
ＳｉＣ半導体に対する酸化ガリウム半導体の優位点、バンドギャップや抵抗値等については、半年以上前に古参の方々とさんざん議論し、僕より詳しい方が大勢いらっしゃるので、その方々に聞いてください。さしあたりあなたに言いたいのは、ＳｉＣ半導体は、ユーザーが望む「パワー半導体」ではないかもしれない、ということです。