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ティアンドエスグループ(株)【4055】の掲示板 2024/01/13〜2024/01/22

TSMCによるMRAM開発も着実に進展

工業技術研究院(ITRI)とTSMCは、低消費電力のスピン軌道トルク型磁気ランダムアクセスメモリ(SOT-MRAM)アレイチップを共同開発したことを発表した。この画期的なチップは、独自のインメモリ計算アーキテクチャで設計されており、従来のスピン移行トルク型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)製品の消費電力のわずか1%しか必要としない画期的な物であり、両社の成果はマイクロエレクトロニクス分野での重要なマイルストーンを達成である。