(株)タムラ製作所【6768】の掲示板 2024/02/07〜2024/03/07

>>661

次世代材料S iCやGaNから、研究が進むと2030年代以降は酸化ガリウム半導体に置き換わる可能性がある。

Ga2O3が他の次世代材料に置き換わる3つの理由

半導体材料の刷新は、半導体メーカーにとっても、ユーザーにとっても、覚悟と労力を伴う一大事業です。それでも、Ga2O3の実用化にメドが立てば、SiCやGaNなどの次世代材料に置き換わる可能性が出てきます。Ga2O3と並ぶ次々世代材料として、ダイヤモンドや窒化アルミニウム（AlN）などの研究開発も進められています。これらの中で、Ga2O3は実用化に最も近い材料であるとみなされています。

SiCやGaNよりも、大きな電流/電圧が扱うことが可能

Siに近い低コスト基板の生産可能性

日本国内での研究が進み、実現可能性が高い



>富士経済　パワー半導体市場予測
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>酸化ガリウムパワー半導体は、まだサンプル評価の段階である。FLOSFIAとノベルクリスタルテクノロジーが量産を始める2024年には、6億円規模の市場を見込む。将来的には、自動車・電装分野での採用も検討されており、2035年は385億円規模に拡大すると予測した。